IDF 2011: Показатель TDP чипов Intel Haswell составит 10-20 Вт

Нет комментариев


Микропроцессорный гигант Intel в ходе IDF 2011 представил первый опытные образцы процессоров архитектуры Haswell, выход которых назначен на 2013 год. Чипы Haswell будут исполнены по нормам 22-нанометрового технологического…

Микропроцессорный гигант Intel в ходе IDF 2011 представил первый опытные образцы процессоров архитектуры Haswell, выход которых назначен на 2013 год. Чипы Haswell будут исполнены по нормам 22-нанометрового технологического процесса на основе транзисторов с трехмерной структурой и должны прийти на смену процессорам линейки Ivy Bridge.

Главной особенностью процессоров Intel Haswell станет их энергоэффективность по сравнению с решениями основанными на базе архитектуры Sandy Bridge. Первый опытный образец был представлен вице-президентом компании Intel Мули Иденом (Mooly Eden), возглавляющим подразделение PC Client Group.

Значение показателя рассеиваемой мощности для чипов нового поколения заявлено на уровне 10-20 ватт, против 35-45 ватт у процессоров семейства Sandy и Ivy Bridge. Чипы семейства Haswell, на которых в будущем будут основаны большинство ноутбуков, позволят значительно экономить заряд батареи. Время автономной работы лэптопов сможет достичь 10 дней. Технология Turbo Boost будет играть ключевую роль и в чипах Haswell. Кроме процессорных ядер чипы Haswell будут включать в себя графическое ядро, а также поддерживать стандарт DirectX 11.1.

Источник: Softpedia.com